2nmチップが抱える物理的宿命
レオニダスが放つ高出力マイクロ波（HPM）は、ドローンを「燃やす」のではなく、内部のIC（集積回路）を「電気的に機能不全」に陥らせます。特に、近年の「微細化」という進化が、皮肉にも電磁波に対する脆弱性を生んでいます。
1. 従来型チップ vs 2nmチップ：配線の「細さ」がもたらす致命傷
かつての従来型IC（数十nm〜μmプロセス）に比べ、最新の2nmプロセスチップは、配線の太さが原子数十個分という極限の世界にあります。
アンテナ効果と過電流: マイクロ波がICに到達すると、基板上の配線が「アンテナ」として機能し、意図しない電流（誘導起電力）を発生させます。
物理的損壊: 2nmの極細配線は、このわずかな誘導電流による発熱に耐えられません。従来型が「太い鉄パイプ」だとすれば、2nmは「絹の糸」のようなものです。一瞬の過負荷で配線が焼き切れる（溶断する）、あるいは絶縁膜が突破される物理的破壊が起こりやすくなっています。
2. 素子密度の向上による「相互干渉」とラッチアップの恐怖
2nmプロセスでは、GAA（Gate-All-Around）と呼ばれる極めて複雑な立体構造で素子が密集しています。この「超高密度」が、電磁波攻撃下では連鎖反応を引き起こす導火線となります。
異常発熱の伝播: マイクロ波によって特定の素子が異常発熱したり、過剰な電荷を蓄積したりすると、隣接する素子との距離が近すぎるため、その熱や電気的影響が即座に周囲へ伝わります。
ラッチアップ（動作停止）: この干渉が引き金となり、チップ内部で寄生的な回路が形成され、電源からグランドへ大電流が流れ続ける「ラッチアップ」が発生します。一度これが起きると、電源を切らない限りチップ全体の動作が停止し、最悪の場合はチップが自ら焼き切れてしまいます。
3. 低電圧動作による「ノイズ耐性」の喪失
現代のICは、省電力化のために非常に低い電圧で動作しています。これが、電磁波攻撃に対して致命的な弱点となります。
電圧マージンの消失: 従来型ICが3Vや5Vで信号（0か1か）を判断していたのに対し、先端チップは1V未満（0.7V前後など）の極めて低い電圧で動作します。
ビット反転の誘発: レオニダスの照射によって回路内にわずか0.5V程度のノイズが乗るだけで、コンピュータは「0」を「1」と誤認します。これを「ソフトエラー」と呼び、ドローンの姿勢制御プログラムや通信データが瞬時にクラッシュする原因となります。
4. 先端ICパッケージのシールド性能とその限界
もちろん、メーカー側も無策ではありません。最新のICには電磁シールドが施されています。
一般的な対策: チップ全体を樹脂で固めるだけでなく、パッケージの表面に薄い金属膜を蒸着させるシールド技術が使われています。
限界点: しかし、これらのシールドはあくまでスマホの電波や静電気といった「日常的なノイズ」を防ぐためのものです。レオニダスが放つ「メガワット級」の指向性エネルギーの前では、シールド自体が熱を持ったり、シールドのわずかな隙間（電源供給ピンや外部インターフェース）からエネルギーが「漏れ出す」のを防ぎきれません。
第2章のまとめ：なぜ2nmは弱いのか
白うさぎ16879の視点で見れば、「高密度・低電圧・超微細」という進化の三要素すべてが、電磁波攻撃に対してはマイナスに働いています。性能を追求すればするほど、目に見えない波に対して「繊細で壊れやすい」存在になっていくのです。
次章では、この繊細なICを守るために開発されている、「最新のシールド技術」の正体に迫ります。
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